提供一种引线框架及其制造方法。以提高可焊性，焊线连接强度，半导体封装中与树脂的粘接力和对Pd镀层的保护作用。

  用按本发明的引线框架制造方法能实现上述目的，方法包括金属衬底上用镍(Ni)或Ni合金形成保护层；保护层上用钯(Pd)或Pd合金形成中间层；中间层表面上用Pd和(Au)交替电镀至少一次，形成含Pd和Au颗粒的Z外层。

  Z好是交替电镀形成Z外层，无论Pd或Au均能首先镀在电间层上。

  Z外镀层的形成中，用脉冲电流在中间层的核心位置上首先大致地镀Pd，之后再聚积金以填充聚积的Pd颗粒之间的空隙。由于Au的淀积势能小于Pd的淀积势能。因此，在Pd颗粒之间容易聚积Au颗粒。

  按本发明的另一方案，提供一种用于半导体封装的引线框架，包括金属衬底上用Ni或Ni合金形成的保护层；保护层上用Pd形成的中间层；Pd中间层上用Pd和Au的形成的Z外层。

  另一实施例中，本发明提供用于半导体封装的引线框架，包括金属衬底上用Ni或Ni合金形成的保护层；保护层上用钯(Pd)和金(Au)形成的Z外层。

  Pd或Pd合金的中间层和Au或Au合金的电镀区的形成中，加高脉冲电流，用溅射或气相淀积法。

  通过结合附图对Z佳实施例的详细说明，便能更好理解本发明的上述发明目的和优点。

  普通引线框架的平面图；图2是半导体封装的部分分解透视图；图3和4是常规引线框架的实例的截面图；图5是按本发明的引线框架的实施例的截面图；图6是按本发明的引线框架的另一实施例的截面图；图7是按本发明的引线框架的另一实施例的截面图；图8是图7所示引线框架的局部放大的透视图；图9A至9C是说明按本发明的引线框架制造的截面图；图10是表示按本发明的引线框架的与树脂的粘接力和对比例的与树脂粘接力的曲线图；图11是表示按本发明的引线框架的可焊性和对比例的引线框架的可焊性曲线图。

  所示的用于半导体封装的引线框架实施例，引线框架包括用铜(Cu)，铜合金或铁-镍(Fe-Ni)合金构成的金属衬底31，金属衬底31上用Ni或Ni合金形成的保护层32。保护层32上用钯(Pd)或Pd合金形成的中间层33和在中间层33上形成的包含Pd和Au颗粒的Z外层34。

  出按本发明的引线框架的另一实施例。图6中的引线框架40包括依次叠置于金属衬底上41上用Ni或Ni合金形成的保护层42和Z外层43。Z外层43中存在如图5所示引线框架中存在的Pd和Au颗粒。