引线框架50有在金属衬底51上用Ni或Ni合金形成的保护层52。保护层52上用Pd或Pd合金形成的中间层53；中间层53上用Au或Au合金局部形成的厚度薄的电镀层54。从图8中能看到中间层53上的电镀区54的位置。这里，电镀区的厚度为12个分子的高度。因此，如图8所示，电镀区54使中间层53局部露出或占据。电镀区54用的Au合金Z好是Au-Pd或Au-Ag合金。

  的引线框架制造的一个实施例。首先，制备用Cu、Cu合金或Fe合金制成的金属衬底31，如图9A所示。在金属衬底31用Ni或Ni合金形成保护层32。之后，如图9B所示，在保护层32上用Pd或Pu合金形成中间层33。保护层32和中间层33可用加脉冲电流电镀制成、或用溅射或真空淀积制成。之后，在中间层33上同时存在Pd和Au颗粒处形成Z外层34，制成引线框架30(见图9C)。用加脉冲电流电镀形成Z外层34。换句话说，调节电流密度和电镀时间，只在保护层32上的核心位置聚积钯在中间层33表面上生成钯点。

  接着Au聚积，以填充在中间层33上淀积的Pd颗粒之间的空隙中。由于Au淀积势能低于Pd淀积势能，因而在Pd颗粒之间容易电镀Au。完成镀Au之后，再聚积的Pd再填充Au和Pd之间可能存在的孔位置或微小裂缝，造成引线框架不稳定，在中间层33上生成Z外层34。

  如图8所示，电镀Au或Au合金而在中间层53上形成分散的“电镀区”54，以此来代替在中间层上形成Z外“层”。

  如上所述，用电镀法交替聚积Pd和Au，能形成按本发明的引线框架的Z外层34。形成Z外层的电镀过程中加脉冲电压。脉冲电流的矩形波可以是由预定间隔隔开的一串正脉冲。电流波形也可以在正负脉冲之间交替。也可以是正负脉冲之间的预定间隔。而且，电流波形可以在正负脉冲之间交替，其中，用小脉冲串来调制每个正负脉冲。

  而且，为改善用Pd或Pd合金制成的中间层53的均匀性。用加高脉冲制成图8所示的引线框架50。而且，用加高脉冲，溅射或淀积法也能在中间层53表面上用Au或Au合金形成电镀区54。

  用按本发明的引线框架的半导体封装制造中，用中间层33能防止从用Ni或Ni合金制成的保护层32中扩散出的Ni，在热处理过程中向引线框架的Z外层34扩散。因此能避免引线框架被氧化或腐蚀。

  Z外层34在中间层33上或在具有包含Pd和Au颗粒的电镀区54和有良好焊线连接特性的中间层53的表面上。Au的存在还使经氧化的Pd占据的Z外层的面积减小。由此能消除常有的缺陷。此外，由于Pd氧化出现在焊线连接之后，因此使Z外层34与模塑树脂之间的粘接力提高。用Pd和Au交替电镀也使中间层33的保护功能提高，消除了由氢气泡造成的穿孔。与只含Au的Z外层相比，Z外层34由Pd和Au的相互作用提高了可焊性和焊线的连接性能。而且，由于Au或Au合金能形成尽可能的薄。因此，而减少Au的消耗量，降低了制造成本。

  通过以下实例能更详细的完整地了解按本发明的引线框架的作用。